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【GaAs】V-X族化合物半導体【終わり?】

1 :名も無きマテリアルさん:04/07/17 18:47
少なくとも、研究対象としては終わりだよね?

2 :名も無きマテリアルさん:04/07/17 20:00
まだまだだろ!お隣さんのII−VIを見てみろ!
GaAsだって量子ドットとかでまだ熱いだろ。
GaNなら言うまでもない。
InP系は…

3 :名も無きマテリアルさん:04/07/18 05:32
IV族で光ればまた状況も変わってくるんだろうけどね。

4 :名も無きマテリアルさん:04/07/18 22:04
やっぱりSi、まだまだSi

ひずみSiもポリシリコンも邪道。
単結晶Siで今日も生きる

5 :名も無きマテリアルさん:04/07/18 22:24
>>4
光デバイスはどうすんの?

6 :名も無きマテリアルさん:04/07/18 22:36
SiGeでOK

7 :半導体初学者:04/07/18 23:20
突然すいません。
なぜN型およびP型半導体にも真性キャリア
が存在するんですか?勉強はじめたばかりな
ので理解に苦しんでいます。

8 :名も無きマテリアルさん:04/07/18 23:24
世の中確率だからw


9 :名も無きマテリアルさん:04/07/19 19:05
漏れ毎日GaAsでドットこしらえてるYO
不毛不毛不毛不毛不毛不毛不毛不毛

10 :名も無きマテリアルさん:04/07/19 21:16
>>9
InAsドットか?1.55um目指しているのかしら。
量子ドットブームもそろそろ下降気味な予感だが、どう?

11 :名も無きマテリアルさん:04/07/20 14:17
これなんか、どうだ!?

富士通研究所と東京大学、究極の暗号「量子暗号通信」の高速化に道開く
http://headlines.yahoo.co.jp/hl?a=20040715-00000013-zdn_ep-sci

12 :名も無きマテリアルさん:04/07/21 00:55
>>9
ワラタ

13 :名も無きマテリアルさん:04/07/21 01:13
そういや量子ドットといえば、>>11の人だね

14 :名も無きマテリアルさん:04/07/21 15:09
>>7


15 :半導体初学者:04/07/21 18:12
>>14
ドナーによって生成された電子以外にも
熱励起によって元々のSiの価電子が励起
し、それが真性キャリアということで良
いんでしょうか?


16 :名も無きマテリアルさん:04/07/22 02:01
・量子ドット
・フォトニック結晶
・GaN系
が流行かねえ。

17 :名も無きマテリアルさん:04/07/22 18:01
GaN系って何やってんの?

18 :名も無きマテリアルさん:04/07/22 19:10
青〜白の発光でしょ。
他に用途あるかいな?

19 :名も無きマテリアルさん:04/07/22 23:47
>>18
オイオイオイオイ

20 :名も無きマテリアルさん:04/07/23 01:17
GaN系はデバイスだけでなく、結晶成長そのものと物性も盛んだよね。


21 :名も無きマテリアルさん:04/07/23 03:33
GaN系の結晶性はGaAs系に比べるとまだまだやからね〜

22 :名も無きマテリアルさん:04/07/23 09:35
物性だと転位とかかな。

23 :名も無きマテリアルさん:04/07/23 15:17
>>18
オイオイオイオイ

24 :名も無きマテリアルさん:04/07/24 01:17
転位は成長分野、要するに材料系だろ。
物性だったら物理学系。発光現象とかバンド計算やっている人でしょう。

25 :やりすぎて&rlo;がすでんい痛がこんち&lro; :04/08/03 13:20
やりすぎて&&rrlo;がすでんい痛がこんち&&rlro;

26 :名も無きマテリアルさん:04/08/05 01:44
Asの破片ってどれほどの毒性なんだろうな

27 :名も無きマテリアルさん:04/08/09 05:41
応物でポスターの奴集合!

28 :名も無きマテリアルさん:04/08/09 20:00
>>27


│∀・)<・・・





│ミ ピャッ  漏れは口頭講演ですた

29 :名も無きマテリアルさん:04/08/10 01:55
>>28
貴様窒化物か!

30 :名も無きマテリアルさん:04/10/06 00:44:57
>>26
GaAsなら俺の机の上にごろごろちらばってるよ

31 :名も無きマテリアルさん:04/10/06 04:42:39
なんか意味わからんとこ来てもーた

32 :名も無きマテリアルさん:04/10/07 01:44:24
ようこそIII-Vへ

33 :名も無きマテリアルさん:04/10/10 12:32:34
そろそろGaAs、InP系は終了だな。
結局Siにはかなわなかったし、GaN系が強くなっちゃったし。
GaAsは中途半端、毒物だし。

34 :名も無きマテリアルさん:04/10/10 17:42:16
話がいやに抽象的だな。
Si, GaAs, InP系が具体的に何に使われているか分かってないだろ。
Siが光るとでも?GaN系の光通信レーザがあるとでも?

35 :名も無きマテリアルさん:04/10/10 23:17:03
Siが光らないとでも?

36 :名も無きマテリアルさん:04/10/10 23:26:34
>>34
結局化合物って光るしか脳がないということですか。
まったく使えん。

37 :名も無きマテリアルさん:04/10/11 00:06:29
GaAs on Siって使えそうですか?

38 :名も無きマテリアルさん:04/10/11 02:02:13
>>36
Siの利点って
資源が豊富
いい酸化膜が堆積可能
大口径基板
ってとこ?


39 :名も無きマテリアルさん:04/10/11 03:35:31
釣りとかアホか

40 :名も無きマテリアルさん:04/10/16 11:32:31
>>34
InN・・・
>>37
夢見がちなお年頃ですね

41 :名も無きマテリアルさん:04/10/16 23:04:31
>>40
まぁ将来性で売るならInNは立候補の1つだけど・・・
InGaAsPと比較してはelectronの質量の軽さと、温度特性だっけ?

GaN導波路にErドープで1.55出るって論文もあったけど怪しすぎる・・・
誰か詳細知らない?

42 :名も無きマテリアルさん:04/10/26 22:26:49
次のステージへ

43 :名も無きマテリアルさん:04/10/28 21:14:40
age

44 :名も無きマテリアルさん:04/10/30 01:46:12
あー研究テーマ変えてぇ・・・InPやめてぇ

45 :名も無きマテリアルさん:04/11/06 13:14:03
http://life6.2ch.net/test/read.cgi/body/1099714326/

46 :名も無きマテリアルさん:04/12/19 13:30:21
私は詳しくないのだが
性能的に
GaN>GaAs>InP
ということでよい?
半導体の性能って電子の拡散速度によって決まるんだよね?

47 :名も無きマテリアルさん:04/12/19 20:02:08
>>46
HEMTに関して言えば
電圧がちいさければInP,GaAs>GaN のはずでは?
一概にGaN>GaAs>InPとは言えないかと...

48 :名も無きマテリアルさん:04/12/19 23:04:01
>>46ですが、自分全く詳しくないので
GaN>GaAs>InP
と書いたのはこのスレを読んでそんな感じかな
と思っただけです。
実際は、
InP,GaAs>GaN
なんですね。では、なぜInPはもうだめなんでしょう?

49 :名も無きマテリアルさん:04/12/19 23:43:45
それぞれ混晶にそれぞれの使用用途があるが、
InP系がダメというわけではなく、InP系の主な用途である光通信産業がもうだめぽ。
GaAsの用途の赤〜黄緑あたりのLED、HEMTは研究としてはひと段落だが、需要はしぶとく残っている
GaNは青・緑のLED、LDが市場に出ているとともに、白色LEDや紫外など研究でも盛ん

50 :名も無きマテリアルさん:04/12/21 18:28:40
GaInNAsSbの時代ですよ。まもなくくるFTTH全盛期では。

51 :名も無きマテリアルさん:04/12/22 12:38:19
5元混晶って均一な組成になるんですかね?
GaN,GaAs,GaSb,InN,InAs,InSbそれぞれの最適な成長条件は違うやろうし...
AlInGaAs系の成長しかしたことないので詳しく分かりませんが...

52 :名も無きマテリアルさん:04/12/23 00:25:02
窒素入れるのがしんどいね ぜんぜんはいらん (´・ω・`)ショボーン

53 :名も無きマテリアルさん:04/12/23 00:31:36
こちらは入りすぎて困ってます。分けてあげたいorz

54 :名も無きマテリアルさん:04/12/23 01:35:47
チョウラィ!щ(゚▽゚щ)

55 :名も無きマテリアルさん:04/12/23 03:24:37
アンチモン入れるメリットって何?

56 :名も無きマテリアルさん:04/12/23 12:07:12
(,,゚Д゚)∩先生質問です
バンドギャップが0.7eV位のGaInNAsSbでGaAsを障壁層にしたとき
何タイプの井戸になるんですか?Sbの組成で変わってくるんですか?

57 :名も無きマテリアルさん:04/12/23 20:54:55
■山崎行太郎が「日亜化学ー中村修二」裁判を読む■
http://yamazakikoutarou.gooside.com/nichia-nakamura.html
■■■■■■■■■■■■■■■■■
中村修二は「産業スパイ」だった…のか?
■■■■■■■■■■■■■■■■■
(中略)
 そもそも中村修二が日亜化学を退職し、アメリカに渡ったのは、何故か。ここに
中村修二の「裁判闘争」の真の意味は隠されている。つまり「アメリカ行き」と
「裁判闘争」はセットだったのである。中村修二が「産業スパイ」ではないか、と
いう疑惑が発生する理由である。(中略)つまり、クリー社も、中村修二の「自慢
話」(サクセスストーリー)にまんまと騙されていたのだ。
■■■■■■■■■■■■■■■■■
知ったかぶりの雑文屋・日垣隆が、この問題に関して、
まったく無知・無学のドシロウトであることを暴露する!!
■■■■■■■■■■■■■■■■■
 日垣隆という人が、「エコノミスト」の「敢闘言」で、無知・無学・無教養を
さらけ出して、頓珍漢な怪気炎をあげているのを、友人に教えられて読んだ。(中略)
 ところで、この問題で頓珍漢な怪気炎を挙げている日垣隆も、そういう「バカの壁」
族の一人のようだ。(中略)この一連の発言を読んで私は、お気の毒だが、日垣がこの
問題に関してまったく無知・無学のドシロウトであると断言せざるをえない。
■■■■■■■■■■■■■■■■■
中村修二氏の発明「200億円」判決は、美談か? 
        2004/02/01 (日) !!
■■■■■■■■■■■■■■■■■
(中略)僕は、中村氏がアメリカの大学への転職を契機に会社を告発する裁判闘争を
開始した背景には転職をめぐって中村氏とアメリカの大学や会社との間に裏取引が
あったと見ている。結局、中村ナニガシは、アメリカ資本に「魂」を売ったのであって、
こんな話は美談でもなんでもありはしない。(中略)科学者も文学者も、やはりカネに
目が眩むようになったらオシマイだろう。次はノーベル賞? もういいよ、この人。

58 :名も無きマテリアルさん:04/12/24 14:40:52
はい、クリスマスプレゼントですよ。

http://www.dawgsdk.org/crystal/library/zinc-blende

59 :名も無きマテリアルさん:04/12/24 22:40:20
ありがとー。
ところでこれ何?

60 :名も無きマテリアルさん:04/12/25 14:30:01
>>58 嬉しくネェェ
・・けど意外とよく出来ているw
この絵、ちょっと修論に使わせて頂きます。

61 :名も無きマテリアルさん:04/12/26 13:14:18
>>52温度下げれ、成長速度下げれ、プラズマちゃんとたってる?

62 :名も無きマテリアルさん:04/12/28 23:44:09
GaNのシミュレーションしたいんですけど、どこの大学がいいですか??
今、調べてる限り芝浦工業しか見つからない…

63 :名も無きマテリアルさん:04/12/29 02:04:42
シミュレーションって何やんの?
成長のモンテカルロ計算とか?発光の仕組みを第一原理から計算するとか?

窒化物の成長やっている研究グループだったら大抵実験の
おまけとしてシミュレーション(理論計算)もきっちりやってるよ。

64 :名も無きマテリアルさん:04/12/29 20:44:11
>>61
プラズマ使わないよ〜 ヒドラジン使い切るまで流そうかなぁ〜


65 :62:04/12/30 12:46:25
>>63
勉強になりました。
シミュレーションから視点を変えて探しなおしてみようと思います。

66 :名も無きマテリアルさん:05/01/03 17:19:53
ガンガレAs・P・Sb系!

67 :名も無きマテリアルさん:05/01/04 01:04:12
Asって時点で終わりだろ。
環境コストかかりすぎ。

68 :名も無きマテリアルさん:05/01/04 02:39:41
研究の題目では環境負荷でAs使わないって多いけど、
あれ単なる理由付けだよな。Asなんか対して毒性ねーよ。
実際光通信デバイスや赤〜オレンジのLEDはほぼAs使ってるし。

NとII-VIやりながら環境がどーのいってる錯乱したグループを
見かけたが、学生は理解してやってんのか?

69 :名も無きマテリアルさん:05/01/04 14:53:04
>>68
いやでも法律で毒物やって言われてるから
原料とかの扱いとか手続きとか廃棄とかいろいろ
Nとかに比べたらめんどくさくて手間がかかるのは
事実。

70 :名も無きマテリアルさん:05/01/07 01:46:30
金属Gaの相場ってあがってるの?

71 :名も無きマテリアルさん:05/01/08 01:53:09
上がってんのはInだろ

72 :名も無きマテリアルさん:05/01/08 01:58:42
ついに枯渇しましたか。インジウム。

73 :名も無きマテリアルさん:05/01/08 02:08:51
Inがなくなったら何の時代がくるかね


74 :あぼーん:あぼーん
あぼーん

75 :名も無きマテリアルさん:05/01/09 01:25:34
また応物もポスターなんかなIII-V族結晶

76 :名も無きマテリアルさん:05/01/09 09:38:40
Inは去年末に少し下げたが、また上昇し始めた。

今年は、Gaの動きが非常に気になります。

77 :名も無きマテリアルさん:05/01/26 13:50:41
InAs/GaAs!!

78 :名も無きマテリアルさん:05/01/26 18:44:29
太陽電池としてはダメかな?

79 :名も無きマテリアルさん:05/01/27 00:26:38
>>78
それこそコストが命では?

80 :名も無きマテリアルさん:05/01/27 01:11:12
>>77
量子ドット?東大?

81 :名も無きマテリアルさん:05/01/28 21:57:04
>>77
実は(111)面でエピとか。w

82 :名も無きマテリアルさん:05/02/01 17:24:02
77ですがドットです。○大です。
先日研究テーマ与えられ先生に自由なドット位置制御を目指せ!と力説されたのですが、
制御できたら何に使えるの?って疑問です。
(001)面?とかなんとかっていってました。
研究室新入りなんでよくわかりません・・・


83 :名も無きマテリアルさん:05/02/02 01:13:27
(001)面がわからないとなるとあんま頭のいい大学ではなさそうだな
(煽っているわけじゃないよ。)
電通大だったか、位置の制御やってたっけな(遠い記憶)
位置制御の前に、サイズは揃ってんの?


84 :名も無きマテリアルさん:05/02/02 16:01:25
「サイズは揃っているから・・・」みたいなことを先生が語っていたような気がします・・・
最終的にはどういうものが作りたいのでしょうか・・・作れるのでしょうか?

85 :名も無きマテリアルさん:05/02/02 21:50:53
量子ドットやとレーザーちゃうか?InAsなら通信波長帯でしょう。
というかレーザーとなるとドットのサイズも原子層単位の制御が必要と
思うのですが。量子井戸レーザーもそうやし...
そこのとこはどうなんですかね?

86 :名も無きマテリアルさん:05/02/03 01:16:27
作られて無いのを作るのが研究だからなあ…何ともいえないけど。どーやって位置を制御しようとしてんの?

InAs/GaAsの量子ドットだったら>>85の言うとおり、レーザとかディテクタの研究がありがちかな
1.3umの量子ドットレーザが発振して、最近は1.55umを目指すってのが流行かと
ただ、レーザにもディテクタにしても光デバイスには位置制御はほとんど必要ないよな

位置制御が必要と言えば、単電子トランジスタとか、単一光子光源かなあ
完璧に整列させられればフォトニック結晶とかの応用もあるかと

87 :名も無きマテリアルさん:05/02/04 14:22:00
フォトニック結晶というテーマも研究室のテーマに含まれていた気がします。
おっしゃる通りフォトニック結晶とあわせてなにかしようとしてるのかな・・・
フォトニック結晶への応用例ってどんなものなのでしょうか??

88 :名も無きマテリアルさん:05/02/04 17:05:14
量子コンピュータは??

89 :名も無きマテリアルさん:05/02/05 02:45:17
86で単電子トランジスタは量子コンピュータの意味で書いたけど、分かりにくいね
確かに量子コンピュータってはじめっから言ったほうがいいな

>>87
フォトニック結晶の応用ってのは、そのまんまフォトニック結晶のピラーを量子ドットにするのよ
今あるフォトニック結晶のピラーはエッチングを使って250nm程度。量子ドットは20nm程度だから、
位置を制御できれば微細なレーザや光スイッチが出来る。そうすれば、光集積回路なんかも
展望的に出来ることになる

90 :メモらせて:05/02/05 16:40:25
http://travel2.2ch.net/test/read.cgi/21oversea/1107588869/
http://tmp4.2ch.net/test/read.cgi/joke/1107588806/
http://academy3.2ch.net/test/read.cgi/whis/1107589113/
http://science3.2ch.net/test/read.cgi/rikei/1107589185/

91 :名も無きマテリアルさん:05/02/06 18:31:57
なるほど。ピラー構造というもの写真を研究室の先輩が見せてくれましたが、
あれをドットにするということですか。
ところで単電子トランジスタを応用したものが量子コンピュータということですか?

1.ドットの位置制御⇒単電子トランジスタ⇒量子コンピュータ
2.ドットの位置制御⇒フォトニック結晶への応用
みたいな感じと思ってよいのでしょうか。




92 :名も無きマテリアルさん:05/02/06 23:03:15
>>91
単電子トランジスタは量子コンピュータの候補のうちの1つ、程度の段階だよ
89は量子コンピュータって書こうと思って間違えて単電子トランジスタと書きました、程度の意味だと思って

量子コンピュータはそもそもShorのアルゴリズムが元になっているわけで、それを物理的に何を用いるのかは
まだまだ模索段階。IBMなんかは液体で素因数分解を達成したし、
富士通は量子ドットを配列させた結合量子ドットで量子コンピュータが作れると提案している。

まあ、本当に量子ドットが位置制御できたり、形状やサイズや密度が完璧に制御できるならば
ものすごい革新的できごとでしょう。因みに、量子ドットはどのように作ってるんですか?MOCVD?MBE?

93 :名も無きマテリアルさん:05/02/06 23:55:21
いいなぁ〜、量子効果デバイス。
おいらは窒化物半導体だよ…。
地味杉。

94 :名も無きマテリアルさん:05/02/07 03:32:20
そうかね。よっぽど窒化物の方が流行だと思うけど
俺も窒化物やりたいよ
しかし窒化物で量子効果もあるでしょ
AlN/GaN量子ドットとか、ISBTとか

95 :名も無きマテリアルさん:05/02/07 12:59:13
量子ドットはMBEで作っているとのことです。
私はまだ使ったことはありませんが。

96 :名も無きマテリアルさん:05/02/07 16:07:21
とつぜんですまんがMBE関係の論文でInAs/InGaAs/GaAsでInAsドット作ると
InAs/GaAsの時よりも密度が上がる、っていうの見かけたんだけどどうしてだろ?
InGaAsはIn=0.15,Ga=0.85で50nmくらいだったかな・・・

97 :名も無きマテリアルさん:05/02/07 19:51:44
http://www.kissnet.ne.jp/fs/v740/bbs.cgi?room=0000
拳銃の所持で逮捕されたらしいぞ!

98 :名も無きマテリアルさん:05/02/08 01:26:57
>>94
窒化物の何が今現在流行ってるのでしょうか?
窒化物と聞いたら青色発光ダイオードぐらいしか思いつかないアホなおいらに教えてくださいませ。

99 :名も無きマテリアルさん:05/02/08 02:34:02
>>96
InPの上にtensileのInGaAsをバッファで敷いてInAsを成長すると
均一になる≒密度増加するって聞いた事あったかなあ。確かcaltechの論文。この場合は
・tensileのバッファで歪みの増加
・界面でのAs/P交換の抑制
が直感的に予測できるけど、>>96に書いてあるのは両方とも当てはまらない状況だなあ
compressiveでAs/P界面も無し。Inの偏析でも関係あるのかしら

その論文の元は?晒しても問題ないでしょ。てか論文にちょっとは考察書いてあるのでは


100 :名も無きマテリアルさん:05/02/08 02:36:44
あ、>>99に書いたのはMOCVDでの話ね。構造的には変わらないと思うけど・・・

>>98
おれも窒化物やってるわけじゃないからそこまで詳しいわけじゃないけど
よく聞くテーマは(In)GaNの発光過程の解明、結晶成長、Al(Ga)N深紫外LED
In(Ga)N遠赤外・光通信帯域のデバイスへ向けた結晶成長、GaN量子ドット、
AlN/GaN面発光レーザ、AlN/GaN ISBTを用いた超高速光スイッチ・QWIP(QDIP)・カスケードレーザーなど・・・

やっぱ可視領域ってのが一番ロマンを感じる。
InP系なんぞPLとっても何も目では見えないのが寂しい。てか光通信秋田

101 :名も無きマテリアルさん:05/02/08 11:34:35
InAs/InGaAs/GaAsの件だが図書館で他の調べものしてる時にチラッと見た
程度であんまりよくみなかった・・・・時間なかったもんで・・・
また見にいってみよう。
もし詳しい人いたらなにか教えてほしいです。

102 :名も無きマテリアルさん:05/02/08 12:42:03
量子ドットやフォトニック結晶について少し調べてみたんですが、
ピラーをドットにするというのは
ドットのあるところにフォトニック結晶の欠陥を作って光導波路にする、ということですか?
ドットが発光してその光を伝播できる→だからドットの位置制御が必要
と理解してよいのでしょうか?

103 :名も無きマテリアルさん:05/02/08 13:28:09
GaAsとInSbの移動度を測ったら文献値の8500(cm^2/Vs),80000に対してそれぞれ3440、30460となってしまいました。
この原因ってなんですか?
ホール素子が幾何学的に非対称とかじゃないですよね?


104 :名も無きマテリアルさん:05/02/09 01:18:35
>>103
測定系がおかしいだけなんじゃねーの?

105 :名も無きマテリアルさん:05/02/09 09:47:07
>>104
それもあると思うんですが、それ以外に原因があるらしいんです。

106 :名も無きマテリアルさん:05/02/19 15:25:28
ttp://t1000.minidns.net/boxes.2835/music/2005021914432901.mp3

107 :名も無きマテリアルさん:05/02/19 18:50:58
SbってMOVPEでできんの?

108 :名も無きマテリアルさん:05/03/02 09:48:37
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2005/0302/idf03.htm

109 :名も無きマテリアルさん:05/03/03 00:14:23
Compound Semiconductorを複合半導体っていうのか?
初めて聞いた

110 :名も無きマテリアルさん:05/03/03 20:36:51
化合物半導体になってる。
間違えただけか

111 :名も無きマテリアルさん:05/03/04 03:01:29
スピントロニクスか…。

112 :名も無きマテリアルさん:05/03/08 21:22:23
>>96
InGaAs成長後にクロスハッチがあるからとか?
クロスハッチってそんな密度あったかな (-_-;ウーン

113 :名も無きマテリアルさん:2005/05/27(金) 20:21:57
簡単な質問ですいません。
どうしてHCVDでAlNをつくるときに蒸気圧の高いAlI3でなくAlCl3がつかわれるのですか?


114 :名も無きマテリアルさん:2005/05/29(日) 23:45:07
>>112
ない、というかそもそもクロスハッチがでたら光デバイスとしては無意味じゃね

115 :名も無きマテリアルさん:2005/06/07(火) 23:13:28
GaAs上に絶縁膜を乗せて電気でCV測りたいんだが、
絶縁膜には何がいいの?
調べると色々あって迷う。


116 :名も無きマテリアルさん:2005/06/15(水) 17:05:44
ポリSiしかやってない俺が来ましたよ

117 :777:2005/06/29(水) 17:18:26
>116
ワロタ

118 :名も無きマテリアルさん:2005/07/04(月) 00:26:56
>>116
Inが枯渇したら君の時代ですよ。

119 :名も無きマテリアルさん:2005/07/04(月) 09:52:47
アメリカでGaAs基板の需要があるらしいけど。
好調らしい。これどこ?

120 :774& ◆RJ3P8q/ogc :2005/07/04(月) 11:00:30
RF MICRO OR MOTOROLA

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