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「通信用レーザーについて話そう」の巻

1 :1:02/10/29 16:44
やっぱりGaInAsNですか?

2 :名も無きマテリアルさん:02/10/29 20:50
卒研は自分でやれ。
どうせ秋葉でレーザ・ダイオード買って来て
特性試験するだけだろ?

3 :漂泊の2ゲッター:02/10/30 00:04
             ////
           ////
          ∧_∧    / ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄
        /( ´Д`;)  <3ゲト〜〜!
     ⊂/\__〕 ヽ   \__________
      /丶2    |Σノ
      / //7ゝ〇 ノ\  フオオオォォォン
     (_///⌒γノ/___)
     ///  ///ノ
     |/  ///
     /  //
      V ノ


4 :名も無きマテリアルさん:02/10/30 15:10
>>2
そんなことするの?

5 :名も無きマテリアルさん:02/10/30 17:37
>>1 東光台生?

>>2 ”通信用”LDの値段しらねーのか?

6 :名も無きマテリアルさん:02/10/30 21:47
3000$くらいでしょ

7 :1:02/10/31 14:51
>>5
No,How are you?

8 :名も無きマテリアルさん:02/11/01 03:37
物性の議論をする能力がなさそうなスレッド

9 :名も無きマテリアルさん:02/11/02 15:56

物性の議論をする能力がなさそうな8=2

10 :パンジー:02/11/02 17:39
女装グッズ 初心者にも解りやすく 親切 丁寧 ぜひ ご覧下さい。

http://www.h3.dion.ne.jp/~josei/

11 :名も無きマテリアルさん:02/11/02 18:35
筒抜け?

12 :名も無きマテリアルさん:02/11/02 18:54
ギョフ

13 :名も無きマテリアルさん:02/11/02 19:33
GaInAsNはもう将来性ないでしょ。別のテーマをやったほうがいいと思うよ。
マジレススマソ。

14 :8≠2:02/11/02 22:29
>>9
勘違いして人に迷惑かける暇あったら、早く言いたい事言え。

15 :じゃ、まず:02/11/03 01:04
実用化されているGaInAsPより芸ナスの方が優れている点を述べてくれ


16 :名も無きマテリアルさん:02/11/03 21:16
違う。3=8。

芸ナスって?


17 :名も無きマテリアルさん:02/11/03 21:18
現在は何が実用化されてるの?

18 :名も無きマテリアルさん:02/11/04 09:42
GaAs!!!!!!!!!!!!

19 :名も無きマテリアルさん:02/11/04 11:12
>>17
通信用レーザ InP基板上のInGaAsP
CD用レーザ GaAs基板上のGaAlAs
DVD用レーザ GaAs基板上のInGaAlP
次世代DVD用レーザ(試作段階) サファイア基板上GaN(GaAlN/GaInN)


20 :名も無きマテリアルさん:02/11/04 13:23
>>16
GaInNAs を ゲイナス と読む
局地的に流行ってるみたいだYO

21 :名無しさん@35周年:02/11/04 13:59







         http://genie.gaiax.com/home/nakatai









22 :名も無きマテリアルさん:02/11/04 15:44
>>13
の言ってる事は本当なの?いまはGaInAsPが使われているんですよね?
芸ナスは波長が1.3nmぐらいで通信用にもってこいって聞いたんですが。

23 :窒化物:02/11/04 15:45
窒化物半導体レーザーってどうなの?

24 :名も無きマテリアルさん:02/11/04 17:09
>>15

現在の高速・大容量のネットワーク社会を支えているのは光ファイバー網ですが、
光ファイバーにデータを送るためには受光・発光素子が必要です。現在使われてい
る発光素子はGaInAsPで作れれたLEDやLD(レーザーダイオード)が用いられていま
す。GaINAsPのバンドギャップが光ファイバの低損失波長帯(1540nm)であることが
主な理由です。しかしこれらの材料は環境に対する負荷が大きく、将来の超高度通
信社会を支えるためには役不足であるといえるでしょう。

材料は環境に対する負荷が大きい⇒それが小さいGaInNAs


25 :名も無きマテリアルさん:02/11/04 20:13
>>24
GaInNAsにもAsが含まれているので環境負荷は理由にならない。
現行のGaInAsP系レーザーは温度特性が悪い。これは通信帯レーザーでは
大問題。温度揺らぎで波長シフトや強度変化を引き起こす。
GaInNAsは(GaAsと組み合わせられるので)温度特性が向上する。
これが最大の魅力。ただし結晶成長が難しいので予測通りのデバイス特性が
得られるかが今のところの課題。

26 :名も無きマテリアルさん:02/11/04 20:38
GaAs基板はInP基板より大口径化技術が進んでるので、
原価削減にもつながる罠。

ところで、MOCVDで作る場合のキャリアガスはGaN系と同様に
水素+アンモニアなのか?
それじゃぁ一筋縄には高品位の結晶を作るのは至難でしょうな。

27 : :02/11/04 22:02
テレビ局は普段増税しろとか喚いてるくせに,税金ガメてこんなもの作ってます
http://members32.cool.ne.jp/~yuzer8/tocho.html
盗聴/盗撮器です


28 :名も無きマテリアルさん:02/11/04 23:02
■こいつ痛いがいいヤシだぜ■
http://members.tripod.co.jp/hidakagray/kakisute/top.html

好きなように対応してやってくれたまへ

29 :名無し:02/11/05 00:19
ナイトライドで赤外出そうって人もいるけど…、本当に出るのかな?

30 :名も無きマテリアルさん:02/11/05 00:26
http://www.i-chubu.ne.jp/~tomomi-h/marion/navi/navi.cgi?links=20348

31 :名も無きマテリアルさん:02/11/05 16:11
GaAs上のGaInNAsは一般的にMOCVDで作るの?

32 :名も無きマテリアルさん:02/11/05 23:59
>>31
MBEでもあったような
あと >>24 は「役不足」の使い方が間違っていまス

33 :名も無きマテリアルさん:02/11/08 16:46
>>25
格子整合が目的じゃないの?

34 :名も無きマテリアルさん:02/11/09 19:50
>>33
温度特性が目的。現行のInP基板上のInGaAsPによるLDはクラッド層とのバンド差が小さく
キャリアの集まりが悪く無駄な電流による熱が発生するので、冷却装置が
必要となる。←無駄。

35 :34:02/11/09 19:54
25ではないぞ。

36 :名も無きマテリアルさん:02/11/13 15:25
GaAsはどう?

37 :名も無きマテリアルさん:02/11/15 20:39
>>36
今さら?

38 :名も無きマテリアルさん:02/11/15 20:41
>>29
希土類ドープのことですか? 京都の方でやってるみたい

39 :名も無きマテリアルさん:02/11/16 18:16
>>37
今さら?

40 :名も無きマテリアル:02/11/17 03:22
ナイトライドに希土類ドープするとどうしてバンドギャップがちいさくなるのでしょう?なにか結晶の構造が変わるのでしょうか?

41 :名も無きマテリアルさん:02/11/17 13:49
>>40
愛が生まれるから

42 :名も無きマテリアルさん:02/11/17 15:41
スレッドを立てられないやつはここに書け!part18

http://cocoa.2ch.net/test/read.cgi/qa/1036929425/

43 :名も無きマテリアル:02/11/18 02:43
>>41
俺も希土類ドープしようかな

44 :名も無きレーザー屋:02/11/18 18:29
>>34
それを言うなら「量子井戸とバリアのオフセットが大きい」
今時バルク活性層など誰もレーザーに使わんよ.(一部の格安レーザを省く)

芸ナスは面発光レーザ以外には不要でしょう.
既存のInP系に勝てるわけ無いし再成長も難しいからDFBはつらい.
最近ヨーロッパでは「芸ナス」ではなく「GINA(ジーナ)」が流行りだしてる.
「芸」の響きがよろしくないようで.

>>13
材料としての研究対象としては面白くないね.デバイスにとっとと移行せんと.

45 :名も無きマテリアルさん:02/11/19 02:04
>>44
GINAって、ゲイナスの呼び名を変えただけ?

46 :名も無きレーザー屋:02/11/19 15:50
>>45
そう,頭文字とっただけ.

47 :名も無きマテリアルさん:02/11/19 16:27
>>19
屋内などの短距離光通信用はGaAs?

48 :名も無きマテリアルさん:02/11/23 10:36
>>47
プラスチック光ファイバ(POF)なら
GaAs基板上のInGaAlP系赤色レーザですな

49 :87uuuuuu5j76j日本創造教育研究所 田舞徳太郎について:02/11/23 14:19
7h666666666666666j787886ij8i8y日本創造教育研究所 田舞徳太郎について
... 光洋ハウジング, 川畑富男, 大津市大萱1?20?15, 543?3457. 佐和興産(株), 澤 英明, 大津市大江4?14?31, 543?2336. ... http://www.takken-shiga.gr.jp/minamimeibo.htm 北西
支部... ...
http://money.2ch.net/test/read.cgi/manage/1003492619/-100
あぁぁぁぁぁぁぁぁぁijy78kik87i787j87686
... 光洋ハウジング, 川畑富男, 大津市大萱1?20?15, 543?3457. 佐和興産(株), 澤 英明, 大津市大江4?14?31, 543?2336. ... http://www.takken-shiga.gr.jp/minamimeibo.htm 北西
支部 ... ...jiiiiiiiiiiiiiiiiiii
h

50 :名も無きマテリアルさん:02/11/23 15:37
雑音電波野郎が。

51 :名も無きマテリアルさん:02/11/23 15:38
現行や近未来用の光ファイバーを教えて下さい

52 :名も無きマテリアルさん:02/11/26 16:40
現行も近未来用も糞もないだろ。

53 :`:02/11/26 17:10
          __,__
         _|    |_
        |━警視庁━| 
          ̄◎ ̄◎ ̄


54 :`:02/11/26 17:10
          __,__
         _|    |_
         |━警視庁━| 
          ̄◎ ̄◎ ̄


55 :`:02/11/26 17:11
            __,__
          _|    |_
         |━警視庁━| 
          ̄◎ ̄◎ ̄


56 :`:02/11/26 17:12
           __,__
          _|    |_
         |━警視庁━| 
          ̄◎ ̄◎ ̄


57 :名も無きマテリアルさん:02/11/30 16:35
56w

58 :名も無きマテリアルさん:02/11/30 17:33
>>51
プラスチック光ファイバ(POF)

59 :名も無きマテリアルさん:02/12/10 15:48
あげ

60 :名も無きマテリアルさん:02/12/17 00:36
GaInNAsが高温に強いってのはどういうメカニズムなの?
高温でもバンドギャップが変化しないってことなのかなぁ

61 :名も無きマテリアルさん:03/01/03 14:28
>>60
信じるものがあるから強くなれる

62 :名も無きマテリアルさん:03/01/04 11:55
>>60
バンドオフセットが大きく無駄な電流が少ない

63 :名も無きマテリアルさん:03/01/07 00:38
なるほど。。

64 :名も無きマテリアルさん:03/01/09 02:21
>>60
高温に強いって、T0がでかいってことか?

65 :名も無きマテリアルさん:03/01/14 16:41
>>64
そうだよ

66 :名も無きマテリアルさん:03/02/09 12:56
あげ

67 :名も無きマテリアルさん:03/02/09 20:42
照明用として何故紫外域のレーザが必要なの?青+蛍光塗料と比較してどういう利点があるの?

68 :名も無きマテリアルさん:03/02/09 20:58
キティガイ、キタ━━━━(゚∀゚)━━━━ッ!!

69 :名も無きマテリアルさん:03/02/10 01:39
照明用なの? Blu-rayなんかの光ディスク用のレーザかと思ってたけど

70 :名も無きマテリアルさん:03/02/16 21:51
失礼。>>67はくだ質系スレと誤爆したんだ。
2週間近く前の間違えに気付かせるこの板も乙だね。

71 :名も無きマテリアルさん:03/02/16 21:52
1週間前か…ハズ。しかもageちゃってるし。
また一ヵ月後位に見て恥ずかしい思いをするのだろうか。

72 :名も無きマテリアルさん:03/02/22 17:46
>>69
照明ならRGBのBじゃないの??

73 :山崎渉:03/03/13 13:05
(^^)

74 :山崎渉:03/04/17 09:37
(^^)

75 :山崎渉:03/04/20 04:16
   ∧_∧
  (  ^^ )< ぬるぽ(^^)

76 :山崎渉:03/05/21 23:59
━―━―━―━―━―━―━―━―━[JR山崎駅(^^)]━―━―━―━―━―━―━―━―━―

77 :山崎渉:03/05/28 14:36
     ∧_∧
ピュ.ー (  ^^ ) <これからも僕を応援して下さいね(^^)。
  =〔~∪ ̄ ̄〕
  = ◎――◎                      山崎渉

78 :名も無きマテリアルさん:03/08/19 23:52
いい加減学習しろや。別のスレがあるんだから
そっちでやるということをなぜ学習できないのだ?
いちいち脊椎反射で動くな。少しは考えろ。
ああ、一度でいいから殺したい。
バットで頭蓋を叩き割りたい。

79 :名も無きマテリアルさん:03/09/02 22:19
応物で何か面白い話あった?

80 :名も無きマテリアルさん:03/09/04 01:47
VCSEL1.55\mum

81 :名も無きマテリアルさん:03/09/19 00:03
シリコンSi
シリコンナノ結晶はバルク結晶とはバンド構造が異なり、発光、増幅が可能。
量子ドットに配列させればレーザー発振も夢じゃない。

82 :名も無きマテリアルさん:03/09/20 19:29
>>81
代表的な論文ってある?

83 :名も無きマテリアルさん:03/09/20 19:50
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84 :名も無きマテリアルさん:03/09/21 01:47
>>82
L.T.Canham;Appl.Phys.Lett.,57,1046(1990).

85 :名も無きマテリアルさん:03/09/23 11:53
温度特性を良くするなら半金属を混ぜたらどう?
どっかの教授がやってるがInTlGaAs/InPを。どうもあやしい。
絶対Tlは取り込まれてないとおもう。だけど、温度特性
いいんだよな?なぜだ?

86 :名も無きマテリアルさん:03/09/23 13:14
ゲイナス(GaInNAs)の話は最近あまり聞かないけど、どうなんですか

87 :名も無きマテリアルさん:03/09/23 18:08
Tl(タリウム)って何%くらい入るの?

88 :名も無きマテリアルさん:03/09/24 13:03
>>87
ほとんど取り込めないね。知ってる限りでは今のとこ10%ぐらい
Tlを取り込ませる方法は低温成長、Asフラックスを大きくすればいい。
でも、単結晶厚は150Åぐらい(Tl組成9%のTlGaAs/GaAsで)

89 :名も無きマテリアルさん:03/09/25 23:39
温度特性だったらドットが定番じゃないの?

90 :名も無きマテリアルさん:03/09/26 11:59
>>89
100へー 初めて知った

91 :名も無きマテリアルさん:03/09/26 15:10
ソファーに座って豪快に大股開き。
オナニーはもちろんタップリ時間をかけて愛撫されてます。
おいおい大丈夫か、というくらい奥まで指を入れられ気持ち良さそう!
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92 :某研究者:03/09/27 09:27
減衰や屈折の問題等も有り
水中用レーザー通信成る物は可能なのかだろうが
レーザーが太ければ可能なのだろうか


93 :名も無きマテリアルさん:03/09/28 11:16
MQWとかSCHとかDFBとかVCSELとかいろいろあるけど、
日本の根幹ネットワークで使われている通信用レーザって結局何なの?

94 :名も無きマテリアルさん:03/09/28 23:52
>>93
DFB?

95 :名も無きマテリアルさん:03/09/28 23:53
>>93
DFBかな?

96 :名も無きマテリアルさん:03/09/29 23:22
>>93
共振器構造はDFBだが活性層にはSCHおよびMQWの組み合わせ構造が用いられている。

97 :名も無きマテリアルさん:03/11/23 21:36
1はM(T)研?

98 :名も無きマテリアルさん:03/11/23 22:48
量子ドットレーザー

99 :名も無きマテリアルさん:03/11/23 23:31
>>98
同士よ。材料系は?やっぱGaInAs/GaAs?

100 :名も無きマテリアルさん:03/11/23 23:33
>>99
すまん。アンチモンやねん。

101 :名も無きマテリアルさん:03/11/23 23:48
MBEでつか?Sbで均一なドット作る事も中々難しい気が。
SK成長モードでのドットのポテンシャルってどうなんだろう・・・

102 :名も無きマテリアルさん:03/11/23 23:50
MBEです。
最近レーザー発振しました。

103 :名も無きマテリアルさん:03/11/23 23:59
へー。・・・ってすげー!
先週のQDPCであってたりして。あはは・・・

104 :名も無きマテリアルさん:03/11/24 00:08
あってます。
誰だかばれたな。きっと。
ま、そのうちにどこかの学会で会いましょう。

105 :名も無きマテリアルさん:03/11/24 00:21
健闘を祈ります。また発表聞かせてください。

106 :名も無きマテリアルさん:04/02/14 19:39
光通信の需要って本当にこれから来るのか?

107 :名も無きマテリアルさん:04/02/15 03:45
>>106
来ます。

108 :名も無きマテリアルさん:04/02/15 07:51
もうこねーんじゃねーのー

109 :名も無きマテリアルさん:04/02/20 22:21
光通信落ち目だよな。

110 :名も無きマテリアルさん:04/02/21 02:03
ギガイーサ面発光インターコネクトで盛り返すナリ

111 :名も無きマテリアルさん:04/02/21 02:10
>>110
東工大の人?

112 :名も無きマテリアルさん:04/03/03 03:15
光通信って大学の研究テーマとしてはよくありがちなんだがな。

113 :名も無きマテリアルさん:04/03/13 12:02
ADSLよ・・・

114 :名も無きマテリアルさん:04/04/03 17:43
ブラッグ反射膜でよくλ/4nってつかうけど、この4って数字はどこからくるの?
位相をずらすんなら整数倍の方が干渉しそうだけど・・・

115 :名も無きマテリアルさん:04/04/03 18:17
>>114
整数倍位相をずらしても何も起きないと思うが・・

116 :名も無きマテリアルさん:04/04/04 03:39
>>114
伊賀先生の本読んだ方がはやいんでねーの

117 :名も無きマテリアルさん:04/04/04 11:26
>>114
光路長の差は、行き帰りがあるんで、膜厚の倍になるからね。

118 :名も無きマテリアルさん:04/06/19 00:09
シスコの10GEのモジュール(40km)1対向2000;y=-( ゜д゜)・∵. ... ターン

119 :名も無きマテリアルさん:04/06/19 02:33
光通信は氷河期だねー。春は何年後だろう。

120 :名も無きマテリアルさん:04/06/30 13:28
富士カンタム!!

121 :名も無きマテリアルさん:04/07/02 09:37
量子効果が現れるのは、化合物によって異なるのですか?
そのサイズはどうやって求めるんですか?

122 :名も無きマテリアルさん:04/07/03 02:09
ド・ブロイ波長以下だろ?例えばGaAsなら20nmくらいか(@RT)

123 :名も無きマテリアルさん:04/07/07 10:43
λ=1.3μmのGaInNAsだとどのくらいですか?

124 :名も無きマテリアルさん:04/07/08 03:16
GaInNAsか…東工大の人?

125 :名も無きマテリアルさん:04/07/09 13:05
>>124
ちがうけど・・・

126 :名も無きマテリアルさん:04/07/10 03:10
>>125
MOCVDでGaInNAs?某事情により、今はどこも研究ストップしていると思うんだがなあ

127 :名も無きマテリアルさん:04/07/10 16:53
>>126
某事情・・?!なんですか?

128 :名も無きマテリアルさん:04/07/10 18:55
>>126


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             、 (_/   ノ /⌒l
             /\___ノ゙_/  /  =====
             〈         __ノ  ====
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                   \___)___)(´;;⌒  (´⌒;;  ズザザザ
                                (´⌒; (´>>



129 :名も無きマテリアルさん:04/07/11 00:20
やっぱSbだろ。

130 :名も無きマテリアルさん:04/07/11 10:04
>>127
DMHyの危険性と、除害灯の爆発事故があったからどこも止まって聞いたんだがなぁ。
某社製のMOCVDに限った事かもしれないけど。

131 :名も無きマテリアルさん:04/07/13 11:34
>>130
へぇへぇへぇ!そうなんだ、でもMBEとかCBEでは続いてるんじゃないの?
活性層以外がAlとかのせいでMOCVDじゃないとやりずらいからストップ中なの
かな?

132 :名も無きマテリアルさん:04/07/14 01:03
いやもちろんMBEでやる分には問題無いんだが、そもそもMBEで窒化物はあんまり
栄えていないのでは。GaInNAsをMBEでやるメリットは中々ないし、
MBEで窒化物の通信分野と言えばAlN/GaNのISBT位しか残されてないんじゃないかな。
活性層以外がAlとかのせいで〜ってのはどういう意味?

133 :名も無きマテリアルさん:04/07/14 13:48
MBEのセルの材質がAlと相性がわるいんじゃなかったっけ?

134 :名も無きマテリアルさん:04/07/14 14:00
http://www.ite.or.jp/news/keyword/OptCommunication.html

135 :名も無きマテリアルさん:04/07/15 00:59
MOCVDもTMAlとNH3の寄生反応があるから質はあんまりよくないよ。

136 :名も無きマテリアルさん:04/07/15 11:10
Alの層を成長する段階になっても
成長槽内にNH3が問題になるほど残ってしまうんですか?

137 :名も無きマテリアルさん:04/07/16 01:04
基板にAlがくっつくまえにアンモニアと反応しちゃって副生成物になるんだよ

138 :名も無きマテリアルさん:04/07/17 18:51
>>137
ん〜〜。ってかAlの層を成長する前に、十分排気しとけばいいんじゃないの?

139 :名も無きマテリアルさん:04/07/17 19:57
>>138
普通窒化物の成長はアンモニアがNのソースなんだよ。アンモニア流さないと成長が始まらない。
MOCVD成長はIII族律則だから、大量のNH3雰囲気下にTMAlを流すので、TMAlが基板表面に
到着する前にNH3によって侵食されて副生成物になってしまうのがAlN成長時の問題。

GaInNAsやっているところはNのソースにDMHyというNの有機金属使っている所もあるけど少数派。
貴方はMBEかCBE、PLDあたりの人かな?

140 :名も無きマテリアルさん:04/07/21 13:40
窒化物でもGaN系のお話でしたのね・・・
GaAs−AlGaAsのDBRを想像してました。。。。OTZ

>GaInNAsをMBEでやるメリットは中々ないし

GaInNAsをMBEです・・・泣
メンテが少なくて楽とか・・・

貴殿はMOCVDでGaN系ですか?

141 :名も無きマテリアルさん:04/07/22 01:38
へーへーへー。MBEの方が結晶品質はいいですよね。
私はMOCVDです。DBRですか。VCSELでもやってるんですか。
って、別に特定したいわけじゃないのですが、
横の研究室が同じような事やっているもんで。。。

142 :名も無きマテリアルさん:04/08/09 09:42
GaInNAs系がGaInAsP系に取って代わる日はくるんでしょうか?

143 :名も無きマテリアルさん:04/08/10 01:54
げーナスのメリットって何?

144 :名も無きマテリアルさん:04/08/11 12:40
>>143
温特

145 :名も無きマテリアルさん:04/08/13 19:49
>>144
そうか?

146 :名も無きマテリアルさん:04/08/14 00:52
量子ドットも最初は特性温度が∞になるとかいう理論予測だったが
もう特性温度はあきらめられているようだな
しかしその論文が未だ引用され続けているのが謎だ

147 :名も無きマテリアルさん:04/08/14 18:09
>>146
特性温度って今の最高いくつ?

148 :名も無きマテリアルさん:04/10/02 23:41:52
GaInNAsってもうだめなの?

149 :名も無きマテリアルさん:04/10/03 03:54:00
いいんでねーの。実用化も最近されてるよな

150 :名も無きマテリアルさん:04/10/03 13:51:50
量子ドットも負けないぞぉw

151 :名も無きマテリアルさん:04/10/03 19:42:56
量子ドット使って1.55umのレーザって研究進んでんの?
というか、InAs/GaAs以外の材料系のやつ

152 :名も無きマテリアルさん:04/10/03 22:25:06
>>149
どこで?
日立????

153 :名も無きマテリアルさん:04/10/04 23:36:00
日立と古河もじゃん?

154 :名も無きマテリアルさん:04/10/05 00:50:11
InGaAsPむずい。

155 :名も無きマテリアルさん:04/10/05 01:45:21
やべえ、進んでねぇよ。
そもそも人でがたりねーよ。
たった一人で世界に対抗するのつらいよ。

156 :名も無きマテリアルさん:04/10/05 11:20:58
>>153
面発光?じゃないよね?

157 :名も無きマテリアルさん:04/10/05 11:22:28
>>154
何でいまさら(ry

>>155
一人w
ガンガレ、インド人、中国人ヤトッテガンガレ!

158 :名も無きマテリアルさん:04/10/05 11:39:20
GaAs/AlGaAsでてこずってますが...
何でMBEの選択成長うまいこといかんねん!パターン基板嫌い!(泣
やっぱ選択成長はMOCVDのほうがいいかな... MEEできんし...

159 :名も無きマテリアルさん:04/10/05 21:33:13
>>158
三族ソースは何?

160 :名も無きマテリアルさん:04/10/06 00:40:24
いろいろですな。何でいまさらGaAs/AlGaAsとかInGaAsPとかなんだ?
と思わなくもないけど、きっと面白いことやってんだよね

161 :名も無きマテリアルさん:04/10/06 11:08:05
>>159
普通にに金属Gaですが...
あと,成長時のX/V比やたら高いです.
論文とかで10以下でやってるのを見ますがそんな成長したら
取り出したとき基板は真っ白です.

162 :名も無きマテリアルさん:04/10/07 01:46:37
Alの選択成長って珍しい感じするけど、拡散係数はどうなん?

163 :名も無きマテリアルさん:04/10/07 11:02:34
Alはほぼ拡散ありません.Gaのみ拡散します...
でOKですよね?

164 :名も無きマテリアルさん:04/10/08 14:15:01
>>161
金属GaではMEEは無理っぽくない...?

165 :名も無きマテリアルさん:04/10/08 15:54:38
InGaAsPのドットでどうなの?

166 :名も無きマテリアルさん:04/10/09 21:22:18
意味あんのか?InAs/InPでも格子不整合足らないで不均一になるんだから
InGaAsPにするメリットは不明。むしろ歪補償QWと同じ意味でInP基板の上に
tensileのInGaAsPバッファーは意味がありそう

167 :名も無きマテリアルさん:04/10/12 03:21:00
GaInNAsでIn34%とかにすると光らないんですがなぜですか?

168 :名も無きマテリアルさん:04/10/12 08:52:13
GaInNAsで藻ナーとかではどうだろう?

169 :名も無きマテリアルさん:04/10/12 23:37:40
InGaAs/GaAsのコツを教えてくれ〜

170 :名も無きマテリアルさん:04/10/13 01:26:19
コツってか、InGaAs/GaAsって出来んのか?
格子不整合だよな…Inを出来る限り薄くするってのと
膜厚もそんな積めないよな。
AlGaInAsとかInGaPじゃダメなの?

171 :名も無きマテリアルさん:04/10/13 10:20:29
>>170
井戸ならいけるんじゃない?

172 :名も無きマテリアルさん:04/10/13 17:01:35
>>170
AlGaInAsって(Al+Ga):InがInGaAsのGa:Inとおんなじやったら
格子定数ほぼ一緒のような気がするけども

173 :名も無きマテリアルさん:04/10/15 01:14:46
>>171
井戸はもちろんいけるだろうね。ひずみ量と臨界膜厚の関係式を満たしていれば。
Inが薄けりゃ井戸が出来るし、逆に濃くすればドットが出来るはず。

>>172
そうそう、そういう意味でAlGaInAsにすればっていってんだけど。
歪みを求めているのでなければ、別にAlGaInAsで十分でしょ。
歪ませるのが目的であれば、当然AlGaInAsではダメだ。
選択成長でIII族の分布orV族の分布を調べるとか特殊なモチベーションもあるけど。

174 :名も無きマテリアルさん:04/10/15 11:36:11
>>173
>そうそう、そういう意味でAlGaInAsにすればっていってんだけど。
歪みを求めているのでなければ、別にAlGaInAsで十分でしょ。
歪ませるのが目的であれば、当然AlGaInAsではダメだ。

どういうこと?格子定数同じなら歪みも同じじゃないの?それとも物性能的に代用ってこと?


175 :名も無きマテリアルさん:04/10/15 11:37:09
>選択成長でIII族の分布orV族の分布を調べるとか特殊なモチベーションもあるけど。

原子の分布ってどうやって調べるんですか?

176 :名も無きマテリアルさん:04/10/16 01:53:41
>>174
ごめん、そういう意味じゃなくって、AlAsとGaAsはほぼ格子整合だけど
若干はtensileでしょ?Inの薄いやつで、AlGaInAsとGaAsがlattice match
する混成比があるはず。かなり厳しいだろうけど、InGaAs/GaAsよりマシだと思った。

>>175
選択成長したらミクロオーダーで混成比が分布するからμPLとかμXRDでわかる

177 :名も無きマテリアルさん:04/10/17 18:09:16
発振したかも....でも閾値タケー、出力ヨエー、自然放出に負けるな。

178 :名も無きマテリアルさん:04/10/18 12:35:51
>>176
AlAsとInAsって両方GaAsより格子定数大きくなかったっけ?
なので格子整合はしないかと...

179 :名も無きマテリアルさん:04/10/18 22:53:09
>>177
PLでどのくらい光ればレーザーって作れるの?

180 :名も無きマテリアルさん:04/10/19 00:53:36
>>179
発光の強さより、いかに光を閉じ込めるかの方が重要だと思うな。

181 :名も無きマテリアルさん:04/10/19 01:52:20
レーザは設計が重要だな。結晶品質だとか界面制御とかも重要だけど。
あと地味に電極作成とか研磨プロセスとかが重要だな。

>>177
詳しく。せめて材料系か量子構造の種類、どっちか教えて

182 :名も無きマテリアルさん:04/10/19 01:58:17
>>178
ほんまや。俺がアホやった。すまん。
174にはInGaPあたりを選んでもらおう

183 :名も無きマテリアルさん:04/10/20 10:32:11
>>181
GaInNAs系ってAlGaAs系の技術じゃだめなの?

184 :名も無きマテリアルさん:04/10/21 01:35:01
PLで基板よりちょい光ってれば発振するよな
ELがうまくいくことと共振構造がうまく言っていることが前提だが

185 :名も無きマテリアルさん:04/10/21 02:01:08
>>184
PLのディテクタは何?

186 :名も無きマテリアルさん:04/10/21 12:03:40
>>184
励起強度によって変わることありますけど.
基板より光ったり光らなかったり

187 :名も無きマテリアルさん:04/10/21 18:32:18
>>185
1300nmぐらいは何???

188 :名も無きマテリアルさん:04/10/22 00:40:11
>>185
InGaAsだけど・・・??

189 :名も無きマテリアルさん:04/10/22 14:08:56
発進したいよ。

190 :名も無きマテリアルさん:04/10/23 01:29:01
発車オーライ。

191 :名も無きマテリアルさん:04/10/23 02:18:29
やべー。超伝導AlGaN/GaN量子ドットカスケードレーザー発振しちゃったよ。
ノーベル賞もんか?やべーやべー

192 :名も無きマテリアルさん:04/10/23 02:27:41
>>191
藻前の頭が発振中w

193 :名も無きマテリアルさん:04/10/25 14:31:31
Geディテクターだと検出感度が870nmだとものすごい弱くて
簡単に基板より光るんですけどダメですよね?

194 :名も無きマテリアルさん:04/10/26 01:28:48
校正されてないの?

195 :名も無きマテリアルさん:04/10/26 11:18:41
ないですね・・・

196 :名も無きマテリアルさん:04/10/27 11:41:21
InGaAsSbで発振した!!!!!!

やっべーーーーーーー

うっひょーーーーーー

197 :名も無きマテリアルさん:04/10/27 22:59:28
クラス3以上の昔のレーザーポインター欲しいな〜
買えないかな
輸入でもいいから欲しいです。

198 :名も無きマテリアルさん:04/11/26 11:10:34
GaInNAsって結局どこに使われるの?

199 :名も無きマテリアルさん:04/11/26 14:21:19
http://ex8.2ch.net/test/read.cgi/k1/1100952300/l50#tag480
↑のスレの480が犯罪予告!

こええーーーーーー。

200 :名も無きマテリアルさん:04/12/02 15:38:19
レーザー通信は電波法に引っかからないからいいよな。
ただし指向性が強すぎて一般の市場参入は望めないが。
航空宇宙関連でしか開発が進まないんじゃ、昨日のプロジェクトXみたいな苦労をすることになるんだろうな。
乙。

201 :名も無きマテリアルさん:04/12/03 01:56:53
レーザ通信といえば98%は光ファイバ通信であります

202 :名も無きマテリアルさん:04/12/04 01:04:38
eye safeの波長ってどんなにパワーが強くてもeye safe?
なわけないか。

203 :名も無きマテリアルさん:04/12/04 02:30:50
eye-safeの条件にパワーが弱いことも含まれている

204 :名も無きマテリアルさん:04/12/05 22:05:01
FeSi2がSi上で1.55μmで光る!とかいって幾つか研究グループが
あるみたいだね。でもまだPN接合ができた!やったーみたいな感じ
に見えるけども将来性はどうなんでしょう?面発光を可能にするよう
な反射鏡とかでてくるのかな?AlGaInNAsSb系が脅かされたりしないかな?

205 :名も無きマテリアルさん:04/12/21 22:27:20
いつも思うんだが、AlGaInNAsSb系って混ぜすぎ。

206 :名も無きマテリアルさん:04/12/22 01:53:41
>>205
全部混ぜるわけじゃないでしょ

207 :名も無きマテリアルさん:04/12/22 23:18:12
それが混ぜるんだよ。長波長出すには.....

208 :名も無きマテリアルさん:04/12/23 18:49:39
>>207
それ+ドーピング用の材料もあるんでしょ?
すげーなー。原料数

209 :名も無きマテリアルさん:04/12/23 22:27:55
>>204
そもそもInGaAsPに勝てんのか?AlGaInNAsSbて

210 :名も無きマテリアルさん:04/12/24 02:17:19
おれも勝てるのか?と思うよ。通信用だと結局温度の保証回路で見張らないと
光源としての信頼性にかかわってくるでしょ?でもそんな回路つけてたら
InGaAsPとあんまり価格的に変わらない悪寒。ってか結晶成長難しい分だけ普及しない悪寒。

211 :名も無きマテリアルさん:04/12/24 02:54:48
>>210
そもそも研究背景としてAlGaInAsSbのメリットって何?
特性温度?

212 :名も無きマテリアルさん:04/12/24 07:44:31
GaAs−AlGaAsのDBR

213 :名も無きマテリアルさん:04/12/24 17:22:39
>>212
GaAs-AlAsのDBRと言わないところがツウだね。w

214 :名も無きマテリアルさん:04/12/25 01:40:30
今日GaInAsNSbの内容を初めて知ったよ。
GaInAsNじゃ1.3umくらいしかでないのね

215 :名も無きマテリアルさん:04/12/26 13:05:56
Tl,Biも入れちゃえばいいのにw

216 :名も無きマテリアルさん:04/12/26 22:50:46
ついでにボロンも入れてまえ

217 :名も無きマテリアルさん:05/01/07 15:31:36
面発光レーザが量産されてしまったのね・・・

218 :名も無きマテリアルさん:05/01/07 22:52:02
AlGaInNAsSbレーザには混ぜすぎ危険のシールが貼ってあります。

219 :名も無きマテリアルさん:05/01/27 10:46:26
age

220 :名も無きマテリアルさん:05/02/05 00:34:51
発振したような、しないような....( ゚д゚)

221 :名も無きマテリアルさん:05/02/05 01:01:38
>>220
スポンスポン

222 :名も無きマテリアルさん:05/02/05 02:35:33
発振した
 そう思いきや
   ASE

223 :名も無きマテリアルさん:05/02/06 06:34:44
age

224 :名も無きマテリアルさん:05/02/11 17:56:05
俺の修論さらすから誰か読んでくれないか?
時代に取り残されたGaInNAsなんだが・・・

225 :名も無きマテリアルさん:05/02/11 22:28:38
発振が1.3ミクロン超えていれば見たいな。
1.3ミクロン帯っていいながら1.2だと、え〜ってなるから。

226 :名も無きマテリアルさん:05/02/11 22:29:21
>>224
今すぐうp!
GaInNAsが時代に取り残された?
うちなんかまだInGaAsPですよ・・・

227 :名も無きマテリアルさん:05/02/12 18:15:32
>>224
まだぁ〜チンチン

228 :名も無きマテリアルさん:05/02/12 21:38:14
ところで今の時代はなに?
この分野やってないのでわかりません

229 :名も無きマテリアルさん:05/02/13 12:01:47
Sb

230 :名も無きマテリアルさん:05/02/18 16:15:29
今回のインテルのラマン増幅器って何?

231 :名も無きマテリアルさん:05/02/20 17:47:35
発振したんだけどねぇ.....公表できないなぁ。

232 :名も無きマテリアルさん:05/03/17 23:15:06
1.55で発振したけど知りたい?

233 :名も無きマテリアルさん:05/03/17 23:18:12
別に

234 :名も無きマテリアルさん:05/03/18 01:09:38
確かに最近Sb流行ってるみたいね

235 :名も無きマテリアルさん:05/03/18 11:25:44
Sb使うめりっとは?

236 :名も無きマテリアルさん:05/03/19 01:21:25
長波じゃねーの

237 :名も無きマテリアルさん:2005/03/28(月) 21:59:28
>>235
長波と3次元成長抑制じゃね?

238 :名も無きマテリアルさん:2005/04/02(土) 18:00:54
ところで、Sbのソースといったら何?
スチビン?それとも、TMSb?

239 :名も無きマテリアルさん:2005/04/03(日) 00:12:13
トリスジメチルアミノアンチモン(TDMASb)

240 :名も無きマテリアルさん:2005/04/09(土) 18:05:50

蒸気圧低すぎない?

241 :名も無きマテリアルさん:2005/04/23(土) 11:47:09
1.55ミクロンで発振してたあげ

242 :名も無きマテリアルさん:2005/05/20(金) 23:25:24
最近の馴れ初めはどうなのよ?

243 :名も無きマテリアルさん:2005/05/21(土) 03:01:16
通信用レーザで有名なセンセって誰だ?


244 :名も無きマテリアルさん:2005/05/21(土) 12:21:57
A川、A井、K山、I賀か?

245 :名も無きマテリアルさん:2005/05/21(土) 16:42:31
東大量子ドットと東工大S松一家ってところか
最近は純粋なレーザの研究ってのは少なくなったね。
スイッチ、集積とかVCSELや材料かえるってのが主流かね

246 :名も無きマテリアルさん:2005/05/21(土) 22:57:45
気分がのってきたのでど〜でもいいこと書きます。

ど〜でもいいですよ♪
東工大S松一家って有名なのにすずかけ台にあるから内部生には人気が全くない。
研究室メンバーの9割は院からの外部生。

247 :名も無きマテリアルさん:2005/05/22(日) 00:47:47
すずかけの方は誰か最近成果だしてんの?
A井センセのところの発表は時々聞くけど

248 :名も無きマテリアルさん:2005/05/23(月) 00:59:10
フォトニック結晶も忘れないで

249 :名も無きマテリアルさん:2005/06/02(木) 02:08:06
ちきしょーレージング来ねーorz

250 :名も無きマテリアルさん:2005/07/14(木) 00:36:22
あgrとく

251 :名も無きマテリアルさん:2005/08/06(土) 13:35:32
応物のネタがない。夏休みはいつ来るのだろう・・・

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