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PNP回路

1 :774ワット発電中さん:04/07/25 13:03 ID:PyjJZfin
無知で申し訳ないが、PNP回路について教えていただけ無いでしょうか?
できればNPN回路との違いを分り易く、お願いします!

2 :774ワット発電中さん:04/07/25 13:22 ID:DOj3BMoN
教科書でも読め

3 :774ワット発電中さん:04/07/25 13:29 ID:NHimv2h/
単発スレ立てるなヴォケ

4 :774ワット発電中さん:04/07/25 22:46 ID:BskTILsH
漏れが小学生のころ、部品箱に1つずつある2SB54, B56 は宝石だった。
つけたりはずしたりして何度も数え切れないほど楽しんだ。
大人になった今、部品箱の中にはC945やC1815が100個単位で無造作に入っている。

って、そういう話ではなかったか。(w


5 :774ワット発電中さん:04/07/26 08:01 ID:i2CDZzXM
無知で申し訳ない、と自覚しているなら
まずは教科書を繰り返し読んで見ましょう

それでも理解できないなら図書館に足を運ぶとか、わからない単語をキーワードにして
検索するetc...........

勉強は自己解決の積み重ねが大切だと私は思います


6 :774ワット発電中さん:04/07/26 08:20 ID:2NqV+hP8
>>4
そうそう、折れた足をトランジスタの缶に残る僅かな切れ口に
ハンダ付けしてエポキシ接着剤で固めて使っていたなぁ。


7 :774ワット発電中さん:04/07/26 09:12 ID:fPfEAVSg
トランジスタの缶・・・若い子にはわからんだろうなあ・・・

単発教えて厨すれが、懐古スレになってしまった・・・

8 :774ワット発電中さん:04/07/26 11:04 ID:rzuxRmAX
デムパ氏にいろいろ語ってもらうスレにするか

9 :774ワット発電中さん:04/07/26 12:40 ID:2qk9nd6H
組み立てたラジオキットが鳴らなくて、トランジスタの缶を開けてみたら
中身がとけてた遠い夏の思い出……

10 :774ワット発電中さん:04/07/26 14:06 ID:EwGPNoOT
そうだね。デムパ氏のスレにしてしまえw

11 :まぁまぁそう言わずに、:04/07/26 17:21 ID:FFOfD6iM
>>1
 さんの中の人も早速歓迎の儀式を食らって大変ですね。 
まあ此れが2ちゃんねる的な挨拶ってものでして、普通なば、らさらに「>>1は削除依頼出しとけよ!」とか、
「>>1は半田鏝のコード引き抜いて、首・・・以下略」とか「オシロのプローブのコード引き抜いて首・・・(ry」
「チメーならφ0.3のヤニ入り半田でも首・・・氏ねる!」とか過激なご挨拶が続いて、スレ立て新人は歓迎
を受けます。(w      まあ、その内に質問はどのスレにしたら一番良いかが分るようになります。
PNPとNPNはバイポーラTRの内部の構造で、C(コレクタ)B(ベース)E(エミッタ)またはEBCに、不純物入り
半導体が並んでいる順番をあらわしています。
歴史的に一番古いトランジスタは点接触型のトランジスタなんですが、これは一般人が入手する以前にあぼ
ーんになって、普及品のTRは合金接合型から市場に出始めますた。(2T11あたりかな?東京通信工業社製
=最近タイマーで有名?な会社の前身の名前) この合金(アロイ)型TRでは分解しても容易に分るようにN型
、P型の半導体が順に並んでいた。
理科系の香具師なら当然、元素の周期律表「水平リーベ僕の船・・以下ry」は知っているとして。
高純度GeやSiの四価の真性半導体に3価の不純物(アクセプタ)BやInを少量打ち込むと、電子が埋められ
てない孔(性交^H^H正孔=ホール)が生じて正の電荷を持つP(posi)型半導体が出来る。 また5価の不純
物(ドナー)AsやSbを少量打ち込むと、電子があまった状態の負電荷を持つN型(Negaの略)半導体が出来る。
*漏れは、回路屋で物性屋ぢゃないから、此処の所これいぢょう深く突っ込むなy。
ほいでもって、このP型とN型半導体をくっつけて両端を半導体にならない接続(オーミックコンタクト)にして
リード線を引き出したら、P側に+、N側に‐掛けた時電流が流れ(正バイアス)、逆にP側に‐、N側に+掛けた
ら電流が流れない(逆バイアス)接合型のダイオードが出来るってのは、高校の物理で教えるはずだょne?

EIAJ命名方Bi-Pola.Tr.はで2SA,2SBタイプはEBCがPNPの順、2SC,2SDはEBCがNPNの順に並んでいる。
エミッタ接地動作で考えれば、B-E間は正バイアスで順方向にBase電流を流しておき、B‐C間は逆バイアスに
電圧を掛けでIbeに大きく依存したIceを流すのが普通のバイポーラTR使い方。実際はベース基準の独立2電
源とはせずに、単一電源でエミッタを基準に考えて、pnpの石は、エミッタに対しベースやコレクタに負の電圧、
npnの石はべース、コレクタともに正の電圧を掛けて動作させると言う、正負の電圧関係がまったく逆向きの
バイアスの掛け方となる。
Bi-Pola.Trに2種類あるのがなぜ便利かと言うと、動物には♂と♀の2種類あり、チョメチョメして子孫を残す事
と大いに関係が有るかというと、                                           全くない。

12 :774ワット発電中さん:04/07/26 19:42 ID:TiJui2m8
>>11
関係あると思う.

13 :774ワット発電中さん:04/07/26 20:53 ID:EwGPNoOT
>>11
(・∀・)ニヤニヤ
デムパ氏キター

14 :774ワット発電中さん:04/07/27 16:16 ID:P92KDJQP
デムパ氏用にほっしゅほっしゅ

15 :774ワット発電中さん:04/07/28 00:58 ID:g/1/anc+
ていうか、>>1はトランジスタだなんて一言も書いてない訳だが…

16 :774ワット発電中さん:04/07/28 14:55 ID:CwnFDcPH
>>1 >>15
めちゃすまんかった、てっきりトランジスタの事かと思ってしまっていた。
やはりこう言う事に関しては海外のwebの方が参考になるな。
PNPに関しては
 ドイツ  http://www.pnp.de/
 ペルー   http://www.pnp.gob.pe/
 米国    http://www.nonprofitstaffing.com/
 ベルギー  http://www.pnporchids.be/
NPNに関しては
 ポーランド http://www.npn.pl/index2.htm
 米国    http://www.petroretail.net/npn/Default.asp
 オランダ  http://www.natuur-gezondheidsproducten.nl/
 スエーデン http://www.npn.se/



17 : ◆74HC74Q2GI :04/07/30 00:32 ID:KEP5fHw0
ほしゅ

昔は車も+アースだったというし。
かなり最近までACアダプタのプラグも、昔を引きずってセンタマイナス
でしたし。



18 :デム(ry:04/08/03 23:07 ID:R8qRQl1R
>>17
昭和30年台の日野ルノー(甲虫型)は+アースだったかな?(消防の頃なものでちとあやすい)
昭和40年代ぐらいまでのVW(ホントのカブト虫)はBatt.の電圧がたしかマダ6Vではなかったか
と思います。
私が4輪の免許を取ったころにはすべての新車は12Vの−アースだったようです。
面白かったのが、4輪の学科試験では手動エンジンスタート用のクランク棒の正しい握り方(始動
時にノッキングとかスカタン喰らった時に指の付け根を骨折しない握り方。)
当時エンジンシャフトにフランクを差込無為の孔(シボレーマークみたいな孔)が前の金属製の
バンパー中央付いた乗用車なんてモウ無かったはずだったのですが、なんと1車種だけ国産車に
クランクスタート対応の孔がついた車が残ってました。 その車の名は「マツダファミリア800」
ファミリア1000からはこの孔は無くなったと思う。
発電機も殆ど全てAC式(オルタネータ)だったのですが、DC発電機を使ってた車種がまだあり
ました。 軽のHONDA N360 まあ、この車はスターター・ダイナモ(セルモーター=発電機)
構造だったので仕方が無かったのですが。(次モデルの360Z とライフ からはオルタネ−タ式)
あ、此処は車板では無かったか。

DCプラグで松下とかは外側が+なので、トランシーバを車載し電源をシガレットライター
から取ったときに引き抜いて、プラグの先が車の金属露出部にあたるとさあ大変。
昔の車は、今のSUZUKI SMARTみたいに車内に金属露出部が多かった。
それと昔の車はエンジンキーを廻さなくても、シガレットライター部には13Vがそのまま
出てたのが多かったですね。
DC、JackもEIAJ規格になって国内統一され全て外側ーになったのは良いのですが、海外は
追従する動きはないのですかね。  未だに昔のJackが使われているようですが。

19 :名無しさん@お腹いっぱい:04/08/05 22:59 ID:OaNYGnmt
一度、PNPトランジスタとNPNトランジスタを使って何か簡単な回路でも作って
動かしてみれば、動かない回路を動くようにすれば、違いが分かるよ。

20 : ◆74HC74Q2GI :04/08/07 08:34 ID:fgFUy2ZH
ほしゅしゅ デム氏乙です。
漏れも年がばれるが、、自動車学校でクランク回しとか、
ダイナモ、オルタネータ、セルモータの実物を見せてもらたよ。

プラスアースでぐぐると結構ページがある。ヨーロッパ車をレストア
したり、+アース車なのに−アースの現用電装品を仮取り付け
してたらショートしてハーネス全焼、瀕死で帰還とか笑えない
ものもある。(藁たが)
ttp://www.fujitagroup.com/mgb/text/text_02_1.html



21 :774ワット発電中さん:04/08/22 10:24 ID:7xuJMpUE
なぜが、PNP回路にすると、だめだったような気がする↓
http://science3.2ch.net/test/read.cgi/denki/1072160998/747

22 :774ワット発電中さん:04/08/22 11:14 ID:k93qcWy1
>>21
>気がする
だけならどんな現象もありえる。

http://www.interq.or.jp/www-user/ecw/shiryou/small/ikenai-1.htm
のポイントの一つは
>トランジスタのE-C間の耐圧(約7V)+LEDの順方向電圧(約2V)を超えると、
の部分、耐圧はトランジスタによって異なり
NPNでも高耐圧タイプのものでは動作しない。
例、 http://service.semic.sanyo.co.jp/semi/ds_pdf_j/2SC5069.pdf


23 :デム(ry :04/12/02 23:35:14 ID:nIEhb8sc
>>21
まあこの回路はエミッタ−ベース間を逆バイアスのツエナーダイオード、ベース−コレクタ間を
順方向のダイオードとして使ってる訳で、(LEDのVf)+(B-Eのブレークダウン)+(Si-DのVf)
電圧でE-B間に電流が流れ、その電流がB-C間に流れて、E-C間の電位が飽和し放電す訳ですね。
Eをコレクタ、CをエミッタとしてNPNのトランジスタに見立てれば良い訳ですか(IcboがIbと成る)。
このような素子の邪道な使い方は私は大好きです。
厨房、消防時代にはネオン管と抵抗、コンデンサで似た事をやってたな。 
その昔(30年いじゃう前)の菊水製の電圧と電流に小型のアナログメーターが付いていた安定化電源
だったと記憶があるのですが、完全ディスクリートの回路構成。(723とかの可変電源用ICは既に
1967頃から市場では売られてました。)
なんと、その菊水の安定化電源の基準電圧はシリコントランジスタのB−E間逆バイアスを使用してい
たようです(鍔つきのC372だったかコレクターが一本接続されずに浮いていた記憶が、、、)。
ツエナーダイオードはNECあたりが(RDシリーズだったか)大昔から売っていたんですがね。
TrのB-E間ブレークダウンの方が電圧が安定していたのでしょうか?今となっては理由は分りません。
C3356とかの超高周波の石は汎用のC1815等に比べてかなりB-E間ブレークダウン電圧が低いですね。
最近よく壊したSi-GeのTRもかなり低いようですが、これは超高周波対応の内部構造の為か、素子の
性質故か物性屋でない私には分りません。

24 :774ワット発電中さん:04/12/03 08:27:38 ID:6r1dBvbs
>>23
>C3356とかの超高周波の石は汎用のC1815等に比べてかなりB-E間ブレークダウン電圧が低いですね。
>最近よく壊したSi-GeのTRもかなり低いようですが、

高周波用の石は内部がより微細になっているから、同じ電圧でも電極等にかかる電界が数倍に
なってます。よってブレークダウン電圧も低くなるけど、内部の電界は同程度なんだとか。
さらにSi-GeはSiより材料としてブレークダウンが低いという噂を聞いたことがありますが…

…Si-Geの石、どこで入手できるんですか? 良かったら是非教えて下さい。10〜50pcs単位で
欲しいんだけど秋葉原じゃ無いみたいだし、メーカーの代理店に電話するとリール4000pcs単位じゃないと
売ってくれないし、でちょっと悩んでます。SiGeでVCO組んで実験してみたいなぁ…
やはり零細企業じゃ入手無理なのかな…

25 :デム(ry:04/12/03 19:32:26 ID:g3NV0J3h
>>24
やはり超高周波(20年前の言い方ですね。今ではFt=6GHzぐらいの石なんぞ@10の唯の高周波用でしょ
うが、w)の石のVeboが低いのはベース部の構造が微細なんですね。。
私は石の内部構造の知識はアロイ、グロン、ドリフト、メサからエピタキシャルプレナ、オーバーレィー
あたりで迄でstopしております。
Si-Geの石は某NEC代理店の営業に無理を言って少量分けてもらいました。AMPの実験で大半壊した;;;
VCOではなくAmpの実験をしたかったら、単品の石ではないのですがマキシム社(MAX)の無償サンプルで、
400MHz〜1.2GHz、及び1.0GHz?〜2.4GHz対応のICがありますから夫々2個づつ送ってもらって実験される
と良いでしょう。
私はこのサンプルで数年前にプリアンプを作って実験してみました所、スペックよりは少し悪いNFでしたが
かなり近いGainとNF値が出ました。 まあHPのNFメーターも古いのであまりあてにはなりませんが。

26 :デム(ry:04/12/03 20:28:35 ID:g3NV0J3h
あ、それとSi-Geの石のベース順方向電圧の立ち上がりは、普通のSiトランジスタの常温で
の電圧0.65〜0.7V程度に比べ約0.1V程度高いようですね。
私は0・8V程度のバイアス電圧で使ってました。 Hfeはかなり高く300近く有りました。
なんでもSi-Geは従来のシリコンウエハーを使ってSi-TRと似たプロセスで出来るので、
Ga-Asの様にメチャ高いウエハーを使わないですむのでコストが安く(なるはず)これ
からの数GHz領域での期待の石なのですが、小信号増幅用が主体でRFパワーアンプ用の
石の開発はこれからですかね。 NECさんが400MHz帯のFRS用から900MHzあたりまでは
使えるSi-Geの中電力用の石を作ってるようですがまだ入手できません。

27 :774ワット発電中さん:04/12/04 00:58:40 ID:v8f6lsUw
>>25,26
レスTnxです。
やはり零細企業には無理だ…いや正しくは無名の小企業なんで、零細なんて言うと本物の自営業の
人に怒られちゃいますが…いずれにせよ数台組んだら終わりの試作・ジグ屋にはキツイなぁ。

2.GHzぐらいならSiバイポーラで充分と言ってみるテスト(笑)。
MCLかZ-ComのVCOもあるのでMaximその他のICには興味なかったりします。それに無償サンプルで
製品組むと後が恐ろしい。Si-GeならC〜Kuが狙えるハズなんだけどなぁ。もうしばらくHEMTで頑張るか。

28 :デム(ry :04/12/04 16:20:35 ID:VM6QlJY5
>>27
HEMTの特許はもうすぐ切れる頃ですかね? 
Si-GeのTrでIC内部組み込みのパターンモデルではFtが80GHzとかのも有るようですが、Vcboが2.5V
以下とか信じられないくらい低いようですね。電圧が少し高いものだとFtが40GHzとかにすぐ下がる。
まあ、これ等はあくまでもIC内部の組み込み用モデルでの値であり、この単品をパッケージに入れて
ボンディングリード等が出ると性能がガタ落ちとなる訳でしょう。
ガキの頃から国家権力の統制を無視し、強力なデムパを空中に発射する事に生きがいを求め続けた
私としては早く数GHz用のPower用Si-Geの石が出てほすいでス。
今思うと、昔は〜110MHzのFMラジオのフロントエンドにFt200MHzぐらいの石をBase接地で使用し
ていましたが良くがんばった物だと思います。 UHF帯TV用のコンバータ(UHF放送が始まる前は
TVにVHFのチャンネルしか付いてなかった)が出始めた頃は、RF AmpやMixに使える石がんくて、
RF無しのダイオードMixが普通でした(自励Oscだけは当時のTRで何とか600MHzあたりまでは出来
ていた)
いまは50MHz帯付近の増幅にもFt=6GHzとかの石を使ってます。 その為、逆にGHz帯での異常
発振止める事に苦労すると言う贅沢な悩みとなっています。

29 :24:04/12/04 18:55:09 ID:v8f6lsUw
>>28
なんかスレタイと違う話を延々としている気が(笑)。過疎スレだから気にしなくても良いかなぁ。

>いまは50MHz帯付近の増幅にもFt=6GHzとかの石を使ってます。 その為、逆にGHz帯での異常
>発振止める事に苦労すると言う贅沢な悩みとなっています。

ワラタ。自分はVHF帯のジグでHEMTを使って16GHzの発振を出した事があります orz
引き出しに残部材があったのでついつい…しかも発振を止めた後VSWRがどうしても下がらない
ので悩んだあげくアイソレータ入れたらNFが入らなかったりとか。結局バイポーラで
組み直して提出しました。それ1台こっきり、って注文だから部品買うのが勿体ないって
思ったのが敗因。

時々大手企業の量産の「仕事」は恋しくなりますが、試作・ジグ屋の仕事内容はキツイが会社生活は
気楽なので戻る気にはならないなぁ。

30 :デム(ry:04/12/04 19:35:55 ID:VM6QlJY5
ジグ屋さんにお勤めですか、RFやアナログ関連の仕事は計測器代が高いから
設備投資に金がかかりますよね。 逆に競争相手が簡単には参入できない。
私も大手勤めと零細勤めを経験してるアナクロ人間です。
なんで目の前に置いてある、「このネット孔の値段がベンツより高いのっ」
てのは素人さんでなくとも思いたくもなります。
ネット孔が高いのは中身が濃いから仕方が無いとして、親指大の唯の50Ωの
基準抵抗器が幾ら木の箱に入ってるからと言って、10マソエン以上もするの
は納得出来ねー。
その昔、英語のジグとカタログを「治具」と「型録」って訳した先人の英知
には頭が下がります。

31 :24:04/12/06 08:52:15 ID:a5LoW9Yq
>>30
>ネット孔が高いのは中身が濃いから仕方が無いとして、親指大の唯の50Ωの
>基準抵抗器が幾ら木の箱に入ってるからと言って、10マソエン以上もするの
>は納得出来ねー。

じゃあ自分で作ってみよう!! 後悔すること請け合い(笑)。
VSWR1.2以下のダミーは簡単に作れます。でも校正基準に使えるようなVSWR1.05以下の広帯域ダミーは
匠の技をフルに発揮するか、限界いっぱいの精度で作ったパーツを組んで選別するかのどちらか
じゃないと無理。それで作ったダミーが簡易な校正用として使える、ってレベルですから泣けてくる。
結局スライディングロードに敵わないんだからなぁ…もちろん簡易な校正でもアンプ屋とか量産パッシブ屋
には充分なレベルなんですが。

VSWR1.2の汎用ダミーを作った経験から言えば、校正用ダミー10マソちょいは安いと思いますよ。
実は汎用ダミーだって機械加工精度が良くないと使えないし。

ところがTRL校正キットは何故か割合に簡単に作れるからRF&M&mmの世界は不思議(笑)。

32 :伊507号:05/02/11 13:18:16 ID:4whn+xQ6
PNP型トランジスタ  NPN型トランジスタ 
2SA 高周波用    2SC 高周波用
2SB 低周波用    2SD 低周波用
一般的にはNPNのほうがよく使われている。デジタルトランジスタ(デジトラ)でも
PNPは初期のトランジスタに多い 
ジャンク屋などでゲルマニウムトランジスタ見ても2SA・2SBが多い
ゲルマニウムトランジスタのNPNは少ない
今の周期3.族14のケイ素.原子記号Siを使った
シリコントランジスタはどちらも多く存在する
PNP回路はトランジスタが出て数年くらいの本を読んで見るといいよ>>1さん

33 :774ワット発電中さん:05/02/11 18:02:50 ID:7F3Gg1Zs
んで、プラスアースで混乱するとw

34 :774ワット発電中さん:05/02/24 19:40:40 ID:zEDdQsWT
糞スレ敗者復活揚げ!

35 :774ワット発電中さん:05/02/24 19:44:40 ID:zEDdQsWT
PNPって、プッシュプルかゲルマトラ以外では使わないでしょ。
あ、ついでに、レギュレーターとか...。
今でもPNP回路使ってる香具師いる?

36 :774ワット発電中さん:05/02/24 22:11:04 ID:1h9bZj12
おれもわからんのよ。

37 :774ワット発電中さん:05/02/24 22:19:05 ID:+GDC8Ahf
釣られて、 あ・げ・な・い w

38 :774ワット発電中さん:05/02/25 01:14:36 ID:zN8Q4NKd
そー言わすに、何か無い?
PNPの在庫大量に抱えちゃってさぁ〜。

と、1が申しております。

39 :774ワット発電中さん:05/02/26 00:39:50 ID:BYxBq0Bl
あれだ、ほれ、あの〜なんだ、缶のパッケージをきれいに剥がしてさ。
フォトトランジスタの代わりにするって、どうよ。


40 :独潜U96号:05/02/26 12:49:53 ID:qo5BOLgu
シリコントランジスタ開けてみた

41 :774ワット発電中さん:05/02/26 20:23:54 ID:BYxBq0Bl
TO-3パッケージ?
もしや、プラモールドを無理やり...
生きたままチップが露出したら>>40は神。

42 :774ワット発電中さん:05/02/27 22:03:35 ID:7kwQF+CQ
白い液体が入っていたなあ

43 :774ワット発電中さん:05/03/01 22:02:24 ID:qTKKm8Qw
2SB383だったかな? (ソニの有名な音声出力ゲルマニウムトラ)
こいつを分解したときにも出てきた。
どうやら、シリコンオイルに混ぜ物をしてるようだが、詳細は知らん。
ゲルマニウムトランジスタにシリコン?
当時の技術として、進んでいたのやら、遅れていたのやら...。

44 :774ワット発電中さん:05/03/02 23:30:56 ID:wKue5rK8
>>42
7KWでCQ出したら違法だぞ!

45 :774ワット発電中さん:05/03/05 09:54:38 ID:x9JAWWib
>>44
あ?

46 :774ワット発電中さん:05/03/05 10:53:06 ID:ArfuKXdx
>>42のIDは凄いと思う。
出そうと思っても出るもんじゃないし...

47 :774ワット発電中さん:05/03/05 21:57:43 ID:Cnw3z2/X
メタル CAN 入りのシリコントランジスタ (2N2222 類似品) を開頭したことがある。
ヤスリの角でゴシゴシ。透明なプラスチック板で一応封止。(気休め)
フォトトランジスタとして動作することが確認できた。表面パッシベーションの
おかげか、性能の経時変化は意外と少なかったように記憶している。

フォト Tr に使うなら、高周波用でなく電力用でなく一般用で、低電流領域での
hFE 低下が少ないのがよいだろうと一応考えて、分解する Tr を選んだ。

あと、安物の顕微鏡で電極パターンやボンディングワイヤーを見て、一人感心
していたりもしたョ。

48 :774ワット発電中さん:05/03/05 22:36:36 ID:Cnw3z2/X
ttp://ja.wikipedia.org/wiki/%E3%83%88%E3%83%A9%E3%83%B3%E3%82%B8%E3%82%B9%E3%82%BF
そういえば PUT の応用をあまり見かけない。NPN + PNP 各一個で簡単に作れる
のを知らない人も多いだろうね。(このほうが自由度が大きい)
手軽な発振器、スレッショルド検出、シュミットトリガみたいにも使えるのにね。
中電流のドライブも可能。

49 :48:05/03/08 21:15:24 ID:oG2DrOyl
あ、言い出したので、シミュレーション結果を UP しておきます。
PUT (PNP + NPN) による基本的な弛緩発信器です。
ttp://proxy.ymdb.yahoofs.jp/users/1491735/bc/Q/447.png?bcPDEpCBEsYj1mXw

あちこちに抵抗器を追加したりすると、それなりに興味深い動作をしますよ。

50 :49:05/03/08 21:26:33 ID:oG2DrOyl
訂正します。
弛緩発信器 → 弛緩発振器

51 :独潜U96号:05/03/11 13:26:46 ID:UokGTXlr
開けたトランジスタはTO-92型
2SC1815なんだけどニッパーを使わないと開かんかった。
また、きれいに開くようにプラスチックカッターで、
線を入れてやると少しはきれいに開く。
きれいに開くと、デジタルトランジスタのC114くらいの大きさになる

52 :独潜U96号:05/03/11 13:29:29 ID:UokGTXlr
話題age


53 :774ワット発電中さん:05/03/11 20:10:17 ID:oM+sVLbG
>>48
現行商品じゃないし、定番中の定番の555があるし。

54 :774ワット発電中さん:05/03/11 21:12:06 ID:ET76+Bcn
はやく、PNP とらんじつたの使い道を考える作業に戻るんだ

55 :774ワット発電中さん:05/03/11 23:47:30 ID:V6rNuwke
>>48
普通はUJTを使いますよね。
パーツ屋さんに行っても最近見ないなぁ...
>>49の回路、サイリスタみたいで面白いですね。
日頃組まない回路なので感動した!

>>51
生きたままチップを取り出せないと、面白くないじゃないか(w

PNP回路という、とやはりゲルマの話しを思いつきますが、
最後までPNP回路だったのは、電池式テレコの音声出力。
プッシュプルで2SB72や2SB383を思い浮かべる。
PNPの特徴よりも、ゲルマのVCEの低さを生かしたような回路だった。

56 :独潜U96号:05/03/12 13:56:36 ID:zFM9Kwfa
しょーがないよ
TO-3パッケージトランジスタ無いもん

57 :774ワット発電中さん:05/03/15 00:39:08 ID:2irXX2sL
>>55
>PNP回路という、とやはりゲルマの話しを思いつきますが

Vce(sat) の問題ではなく、シリコン Tr に比べて Vbe が小さいので
無信号時バイアス電流の電源電圧依存性が小さいこと、
Vce の飽和がソフトなので歪が耳につきにくいこと、あとは
周辺部品 (保持具など)・実績・在庫・価格の問題だと思っていました。

58 :774ワット発電中さん:05/03/18 21:59:45 ID:FGUodwQI
 >Vbe が〜
そう、それ、それ。
それのこと。
思い返せば昔のラジオなどの方が、
低電圧でも歪が少なかったような気がする。
低電圧での歪は勿論のこと、
Icのコレクタ電圧による影響が大きいのも特徴の一つ。
>>57氏のおっしゃるとおり、
ゲルマトラは今とはちがう独特な音がしていた。
真空管とトランジスタの音のちがいが議論される昨今、
5極管とシリコントランジスタに限れば、
ゲルマとシリコンのちがいの方が、大きいようにも思える。
あ、しまった!PNPの話しじゃなくなって来ている...。
合金型と接合型のゲルマは、大半がPNPということでご容赦を!

59 :774ワット発電中さん:2005/03/22(火) 07:19:13 ID:f0JEbx2J
>>56
ヲイヲイ、金属の T0-3 を知っているのか。
これ↓の左側のヤツ。ジャンク基板を探すとあるかもね。
ttp://www.mcmanis.com/chuck/robotics/tutorial/h-bridge/images/to-92.gif
メタルキャン (金属) T-92。 分解は楽ですよ。

60 :774ワット発電中さん:2005/03/26(土) 11:12:13 ID:VW6YRyKs
TO-3のパワーTRを分解・解析している香具師がいますよ。

ttp://www.sm.rim.or.jp/~konton/Museum-kenkyuushitu.htm

61 :伊号潜水艦:2005/03/30(水) 16:59:57 ID:1gRXkYCD
iroiroいるねぇ

62 :774ワット発電中さん:2005/04/03(日) 01:57:09 ID:COxzlrb4
言っとこう。昔、見る時計とかを「全部分解」していた。
親に止められたヨ。

63 :774ワット発電中さん:2005/04/03(日) 11:54:31 ID:FH/MTDW+
少し前に見たトランジスタ・クロックに入っていたトランジスタがGeのPNPだった。

64 :774ワット発電中さん:2005/04/04(月) 02:35:43 ID:A5cC4iPJ
プラグアンドプレイに関するスレかと思った。

65 :大ねこ元気 ◆5XUo.OyiQc :2005/05/16(月) 00:01:12 ID:jFR9HfGm
マジレスだが、 PNP トランジスタの方が低域のノイズが小さいので、わざ
わざ PNP トランジスタで組んだマイクロホンアンプが存在した。

66 :774ワット発電中さん:2005/06/07(火) 17:38:55 ID:uri9kuA+
PNPってプラス接地の回路が多いような希ガス。

67 :774ワット発電中さん:2005/06/19(日) 05:14:14 ID:v8faaqT6
ねたですか・・・まじですか・・・>66

68 :774ワット発電中さん:2005/06/24(金) 07:04:06 ID:xa0m19mW
大昔のトランジスタラジオはプラス接地。

69 :パガニーニ:2005/07/01(金) 21:53:10 ID:BWTLbbmL
>>65
そうですね。旧いLUXの安いAMPも初段の差動増幅DualTRがNPN。
廃品種で残念だが、2SA1349と2SC3381のデータシートを検索して、
信号源抵抗とコレクタ電流とノイズのグラフを比較して見ると、
NPNの方が優れている条件もある。
 ディスクリートオーディオAMPには良く使われたみたい。

70 :774ワット発電中さん:2005/07/01(金) 23:45:17 ID:DzRWm/Yf
PNPとNPNを組み合わせると、いろいろ面白い回路ができるよ

71 :774ワット発電中さん:2005/07/02(土) 19:29:26 ID:Cf1dYM4f
こういうやつですか。
作ったじょ。
http://homepage1.nifty.com/ddd/49-af-osc/index.htm

72 :774ワット発電中さん:2005/08/28(日) 23:22:02 ID:TJzL2En7
保全のためあげよう

73 :774ワット発電中さん:2005/08/29(月) 00:11:35 ID:0W8Qg+A1
バイポーラトランジスタでベース・エミッタ間電圧がある程度大きくならない
とベース電流が流れないのはなぜでしょうか?さらにその電圧も知りたいです。
できればキャリアの移動関連で説明して欲しいのですが、お勧めページなんか
でもあれば教えてください。

74 :774ワット発電中さん:2005/08/29(月) 00:17:39 ID:2HUuXWja
>>73 いや実はベース・エミッタ間電圧0Vから流れてるのだが 君が気づかないだけ(マジレス)

PN接合を越える拡散電流は
Ib= Ibs( exp(q Vbe/KT) -1)

と指数関数で表されるからです。指数関数的増加を示すものを 実数目盛りでみているからある電圧から急激に
増えていると感じてるだけです。




75 :774ワット発電中さん:2005/08/29(月) 00:28:31 ID:0W8Qg+A1
>>74
そのことをキャリアの移動から説明しようとすれば
逆方向電圧がかかり電位障壁は大きくなるが、正孔と電子はわずかに拡散し、
その結果わずかに電流が流れる。といった理解でよろしいのですか?

76 :774ワット発電中さん:2005/08/29(月) 01:03:14 ID:2HUuXWja
>>75 >正孔と電子はわずかに拡散し、

わずかという表現はどうかと思いますが、電子拡散電流は場合P型の空乏層端 の電子密度
ホール拡散電流は場合N型の空乏層端 のホール密度に比例します。 

価電子帯の下のホール密度と、伝導体の上の電子密度は 順方向バイアスであるなら印加電圧
に指数関数的に増加しますので 結果、指数関数的に 電流は増加します。

I=Is ( exp( qV/kT) -1) ; Isはプロセスで決まる物理定数

になります。(あくまで指数関数上で連続になってます)

というと一般的な 教科書的な話になりますが、厳密にはウソです。
0 〜 0.3V 程度の順方向バイアスでは PN接合の空乏層内のバンドギャップ中心の欠陥順位
を通じて再結合してしまうので 

I=Is ( exp( qV/2kT) -1)

と指数関数的な傾きは 半分程度に下がっています。

77 :774ワット発電中さん:2005/08/31(水) 16:07:55 ID:OTM2d+ru
>>76
ま、いいけど、そのような電流領域は工学的に見て意味があるの?
いじわるごめんね。先を見なくちゃね。

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